- 频程DC-26.5 Ghz
- 大功率，小尺寸
- 峰值功率承载能力佳
- 质量轻
- 功率处理能力高达300 W
- CVD 钻石基板
- 提供调谐版本
- 可锡焊&金丝键合
- 集成散热器
- 可提供带引线封装
- 可表面焊接安装
- 可卷袋包装
- 可提供高可靠性版本
当前位置
CVD 钻石负载
Smiths Interconnect|EMC独家出品的CVD 钻石负载系列是极小封装尺寸与极高额定功率的奇妙组合。这些终端器可用于DC-26.5 GHz的应用，非常适用于需要大功率能力、小尺寸且质量轻的应用。该钻石芯片负载使用全薄膜结构制造而成，其镀金的焊盘即可满足金丝键合的要求，也可以采用表面焊接安装。这一全薄膜结构也使这款产品具有良好的峰值功率承载能力。后缀带“T”的产品含有镀金层的引线，易于安装。后缀带“FT”的产品，含有引线和集成式散热器，易于安装。
由于具有全薄膜结构，这款产品具有良好的峰值功率承载能力。可供应标准芯片和通过Mil-PRF-55342测试的高可靠性版本。可选用卷带或层叠式包装。这些产品不含铅，符合RoHS要求，且经过S级审核。
| CVD 钻石负载 | ||||
| CT0402D | CT0505D | CT0603D | CT0603DW2 | |
| 包装样式 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接安装 |
| 操作频率 | 直流电 - 26.5 GHz | 直流电 - 20.0 GHz | 直流电 - 28.0 GHz | 直流电 - 18.0 GHz |
| 阻抗 | 50 欧姆 | |||
| 典型电压驻波比 | 1.30 | 1.60 | 1.60 | 1.2 ? |
| 功率处理 | 10 W | 50 W | 50 W | 30 W |
| 作业温度 | -55℃至150℃ | |||
| 尺寸 | 1.14 mm x 0.64 mm | 1.40 mm x 1.40 mm | 1.68 mm x 0.89 mm | 1.66 mm x 0.89 mm |
| 基材 | CVD Diamond | |||
| 电阻材料 | 薄膜（氮化钽） | |||
| 焊接涂层材料 | 金 / 镍 | |||
| 规格书 | 1011105 | 1010525 | 1011535 | 1013405 |
| CT1310D | CT2010D | CT0505DTB | CT1310DT | |
| 包装样式 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接/金丝键合 | 引线式 | 引线式 |
| 操作频率 | DC - 14.0 GHz | DC - 12.4 GHz | DC - 20.0 GHz | DC - 14.0 GHz |
| 阻抗 | 50 Ω | |||
| 典型电压驻波比 | 1.40 | 1.3? | 1.60 | 1.50 |
| 功率处理 | 125 W | 300 W | 50 W | 125 W |
| 作业温度 | -55ºC to 150ºC | -55ºC to 125ºC | ||
| 尺寸 | 3.33 mm x 2.67 mm | 5.21 mm x 2.67 mm | 1.42 mm x 1.42 mm | 3.30 mm x 2.67 mm |
| 基材 | CVD Diamond | |||
| 电阻材料 | 薄膜（氮化钽） | |||
| 焊接涂层材料 | 金 / 镍 | |||
| 规格书 | 1010545 | 1013505 | 1013175 | 1015435 |
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