
- 频程DC-30 Ghz
- 大功率,小尺寸
- 峰值功率承载能力佳
- 质量轻
- 功率处理能力高达125 W
- CVD 钻石基板
- 提供调谐版本
- 可锡焊&金丝键合
- 集成散热器
- 可提供带引线封装
- 可表面焊接安装
- 可卷袋包装
- 可提供高可靠性版本
Smiths Interconnect|EMC独家出品的CVD 钻石电阻器系列是极小封装尺寸与极高额定功率的奇妙组合。这些电阻器可用于DC-30 GHz的应用,非常适用于需要大功率能力、频率响应范围宽、体积小质量轻的应用。钻石芯片电阻器使用全薄膜结构制造而成,其镀金的焊盘即可满足金丝键合的要求,也可以采用表面焊接安装。这一全薄膜结构也使这款产品具有良好的峰值功率承载能力。后缀为W2的产品,非常适合于大批量的表面焊接安装。后缀带“T”的产品含有镀金层的引线,易于安装。后缀带“FT”的产品,含有引线和集成式散热器,易于安装。可用标准值为50和100欧姆。如需了解非标电阻值,请直接联系本公司。
由于具有全薄膜结构,这款产品具有良好的峰值功率承载能力。可供应标准芯片和通过Mil-PRF-55342测试的高可靠性版本。可选用卷带或层叠式包装。这些产品不含铅,符合RoHS要求,且经过S级审核。
CVD 钻石电阻器 | ||||
CR0402D | CR0402D-W2 | CR0505D | CR0505D-W2 | |
包装样式 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接安装 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接安装 |
操作频率 | DC - 30.0 GHz | DC - 18.0 GHz | DC - 18.0 GHz | DC - 18.0 GHz |
电阻 | 50及100欧姆 | |||
典型电容 | 0.09 pF | 0.1 pF | 0.10 pF | 0.30 pF |
功率处理 | 20 W | 1.5 W | 50 W | 2.25 W |
操作温度 | -55ºC to 150ºC | -55ºC to 125ºC | ||
尺寸 | 1.14 mm x 0.63 mm | 1.40 mm x 1.40 mm | ||
基材 | CVD Diamond | |||
电阻材料 | 薄膜(氮化钽) | |||
焊接涂层材料 | 金 / 镍 | |||
规格书 | 1011115 | 1013115 | 1010775 | 1013125 |
CR0603D | CR0603D-W2 | CR1010D | CR0505D-TB | |
包装样式 | 表面焊接/金丝键合 | 表面焊接安装 | 表面焊接/金丝键合 | 引线式 |
操作频率 | DC - 18.0 GHz | DC - 18.0 GHz | DC - 12.4 GHz | DC - 18.0 GHz |
电阻 | 15至300欧姆 | 50至280欧姆 | 50及100欧姆 | |
典型电容 | 0.19 pF | 0.20 pF | 0.80 pF | 0.10 pF |
功率处理 | 80 W | 2 W | 125 W | 50 W |
操作温度 | -55ºC to 125ºC | -55ºC to 150ºC | -55ºC to 125ºC | |
尺寸 | 1.65 mm x 0.89 mm | 2.67 mm x 2.67 mm | 1.40 mm x 1.40 mm | |
基材 | CVD Diamond | |||
电阻材料 | 薄膜(氮化钽) | |||
焊接涂层材料 | 金 / 镍 | |||
规格书 | 1011545 | 1013145 | 1010785 | 1013135 |