Home

当前位置

CVD 钻石负载

×

状态消息

We noticed you are browsing from out of Asia, we would like to redirect you to our international site.
Yes No
CVD 钻石负载
  • 频程DC-26.5 Ghz 
  • 大功率,小尺寸
  • 峰值功率承载能力佳
  • 质量轻
  • 功率处理能力高达300 W
  • CVD 钻石基板
  • 提供调谐版本
  • 可锡焊&金丝键合
  • 集成散热器
  • 可提供带引线封装
  • 可表面焊接安装
  • 可卷袋包装
  • 可提供高可靠性版本

Smiths Interconnect|EMC独家出品的CVD 钻石负载系列是极小封装尺寸与极高额定功率的奇妙组合。这些终端器可用于DC-26.5 GHz的应用,非常适用于需要大功率能力、小尺寸且质量轻的应用。该钻石芯片负载使用全薄膜结构制造而成,其镀金的焊盘即可满足金丝键合的要求,也可以采用表面焊接安装。这一全薄膜结构也使这款产品具有良好的峰值功率承载能力。后缀带“T”的产品含有镀金层的引线,易于安装。后缀带“FT”的产品,含有引线和集成式散热器,易于安装。

由于具有全薄膜结构,这款产品具有良好的峰值功率承载能力。可供应标准芯片和通过Mil-PRF-55342测试的高可靠性版本。可选用卷带或层叠式包装。这些产品不含铅,符合RoHS要求,且经过S级审核。

 CVD 钻石负载
 CT0402DCT0505DCT0603DCT0603DW2
包装样式表面焊接/金丝键合表面焊接/金丝键合表面焊接/金丝键合表面焊接安装
操作频率直流电 - 26.5 GHz直流电 - 20.0 GHz直流电 - 28.0 GHz直流电 - 18.0 GHz
阻抗50 欧姆
典型电压驻波比1.301.601.601.2 ?
功率处理10 W50 W50 W30 W
作业温度-55℃至150℃
尺寸1.14 mm x 0.64 mm1.40 mm x 1.40 mm1.68 mm x 0.89 mm1.66 mm x 0.89 mm
基材CVD Diamond
电阻材料薄膜(氮化钽)
焊接涂层材料金 / 镍
规格书1011105101052510115351013405

 

 CT1310DCT2010DCT0505DTBCT1310DT
包装样式表面焊接/金丝键合表面焊接/金丝键合引线式引线式
操作频率DC - 14.0 GHzDC - 12.4 GHzDC - 20.0 GHzDC - 14.0 GHz
阻抗50 Ω
典型电压驻波比1.401.3?1.601.50
功率处理125 W300 W50 W125 W
作业温度-55ºC to 150ºC-55ºC to 125ºC
尺寸3.33 mm x 2.67 mm5.21 mm x 2.67 mm1.42 mm x 1.42 mm3.30 mm x 2.67 mm
基材CVD Diamond
电阻材料薄膜(氮化钽)
焊接涂层材料金 / 镍
规格书1010545101350510131751015435
  • 雷达
  • 广播
  • 大功率滤波器
  • 大功率放大器
  • 仪表
  • 隔离器
  • 卫星通信